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制造商:
WeEn Semiconductors描述:
DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC
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属性
技术文件
| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 类别 | |
| 制造商 | WeEn Semiconductors |
| Package / Case | TO-220-2 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Technology | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
| Capacitance @ Vr, F | 402pF @ 1V, 1MHz |
| Current - Average Rectified (Io) | 8A |
| Supplier Device Package | TO-220AC |
| Operating Temperature - Junction | 175°C |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.4 V @ 8 A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 50 µA @ 650 V |
产品概述
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WNSC6D08650Q - 来自制造商: WeEn Semiconductors, 它是一款 DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC, 属于 分立半导体产品, 二极管, 整流器, 单二极管。 WNSC6D08650Q 库存状态: 现货; 立即订货! 今日发货。
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