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制造商:
EPC描述:
GANFET N-CH 200V 12A DIE
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类型 | 描述 |
---|---|
类别 | |
制造商 | EPC |
Series | eGaN® |
Package / Case | Die |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
FET Type | N-Channel |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 6A, 5V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 3mA |
Supplier Device Package | Die |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
Vgs (Max) | +6V, -4V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 7.5 nC @ 5 V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 540 pF @ 100 V |
EPC2010 - 来自制造商: EPC, 它是一款 GANFET N-CH 200V 12A DIE, 属于 分立半导体产品, 晶体管 , FET,MOSFET, 单 FET,MOSFET。 EPC2010 库存状态: 需要与我们确认,联系我们!快速回复。
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