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GANFET N-CH 100V 25A DIE OUTLINE
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属性
技术文件
| 类型 | 描述 |
|---|---|
| 类别 | |
| 制造商 | EPC |
| Series | eGaN® |
| Package / Case | Die |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
| FET Type | N-Channel |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7mOhm @ 25A, 5V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 5mA |
| Supplier Device Package | Die |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V |
| Vgs (Max) | +6V, -5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 950 pF @ 50 V |
产品概述
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