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Analog Devices 的 GaAs、MMIC、pHEMT 低噪声宽带放大器的工作频率为 0.01 GHz 至 10 GHz。
Analog Devices 的 HMC8411LP2FE 是一款砷化镓 (GaAs)、单片微波集成电路 (MMIC)、赝晶高电子迁移率晶体管 (pHEMT)、低噪声宽带放大器,工作频率范围为 0.01 GHz 至 10 GHz。 它提供 15.5 dB 的典型增益、1.7 dB 的典型噪声系数和 34 dBm 的典型输出三阶截距 (OIP3),仅需要 5 V 电源电压下的 55 mA 电流。 19.5 dBm(典型值)的饱和输出功率 (PSAT) 使低噪声放大器 (LNA) 能够充当本地振荡器 (LO) 驱动器,适用于 Analog Devices 的许多平衡、同相/正交 (I/Q) 或 图像抑制混合器。
HMC8411LP2FE 还具有内部匹配 50 Ω 的输入和输出,使该器件非常适合基于表面贴装技术 (SMT) 的高容量微波无线电应用。 它采用符合 RoHS 标准的 2 mm × 2 mm、6 引脚 LFCSP 封装。 EV1HMC8411LP2F 评估板是一款 2 层板,采用 Rogers 4350 制造,并采用高频 RF 设计的最佳实践。 RF 输入和 RF 输出走线具有 50 Ω 特性阻抗。
噪声系数低:典型值:1.7 dB
单正极电源(自偏压)
高增益:典型值 15.5 dB
高 OIP3:典型值 34 dBm
6 引线、2 mm × 2 mm LFCSP
军用温度范围(-55°C 至 +125°C)
测试仪器
军用通信
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