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东芝推出了其最新创新产品 TPH9R00CQH,这是一款高性能 150 V N 沟道功率 MOSFET。这款尖端器件采用了先进的 U-MOS X 工艺,使其成为数据中心和通信基站等各种工业设备中开关电源的理想选择。在 VGS=10 V 时,该 MOSFET 的最大值仅为 9.0 mΩ,经过优化后可提供卓越的性能。
除低导通电阻外,这款东芝 MOSFET 还解决了电磁干扰 (EMI) 问题。开关操作通常会在漏极和源极之间产生尖峰电压,从而导致电源中产生 EMI。然而,得益于其创新设计,TPH9R00CQH 可有效降低这些尖峰电压,从而降低 EMI 水平并提高整体性能。
此外,这款功率 MOSFET 还具有出色的热稳定性,可在高达 +175°C 的沟道温度下工作。
东芝的 TPH9R00CQH MOSFET 兼具低导通电阻、低 EMI 和出色的热性能,是工业电源制造商的首选。通过将这种高性能元件集成到设备中,他们可以为各种应用提供高效、可靠的电源解决方案。
业界领先的低损耗(改进了导通电阻与栅极开关电荷和输出电荷之间的权衡)
业界领先的导通电阻:在 VGS=10 V 时,RDS(ON)=9.0 mΩ(最大值
高通道额定温度:Tch(最大)= +175°C
通信设备电源
开关电源(高效 DC/DC 转换器等)
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